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MRFE6VP6300HR5

Name: NXP MRFE6VP6300HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP6300HR5
Price: 324.71 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

841-MRFE6VP6300HR5

N° de fab. :

MRFE6VP6300HR5

Fab. :

NXP Semiconductors

Description :

Transistors MOSFET RF VHV6 300W50VISM NI780H-4

Fiche technique:

MRFE6VP6300HR5 Fiche technique (PDF)

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	324,71 €	324,71 €
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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 50)
	270,16 €	13.508,00 €
100	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	NXP
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Vds - Tension de rupture drain-source:	130 V
Fréquence de fonctionnement:	1.8 MHz to 600 MHz
Gain:	26.5 dB
Alimentation en sortie:	300 W
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	NI-780-4
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	NXP Semiconductors
Nombre de canaux:	2 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	1.05 kW
Type de produit:	RF MOSFET Transistors
Série:	MRFE6VP6300H
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source:	+ 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.7 V
Raccourcis pour l'article N°:	935317343178
Poids de l''unité:	6,396 g

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Fiche technique

MRFE6VP6300HR5 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 V_SWR, a 50V_DC, 230MHz at all phase angles.