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MR0A08BCYS35

Name: Everspin Technologies MR0A08BCYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR0A08BCYS35
Price: 19.5 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

936-MR0A08BCYS35

N° de fab. :

MR0A08BCYS35

Fab. :

Everspin Technologies

Description :

MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM

Fiche technique:

MR0A08BCYS35 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	19,50 €	19,50 €
	18,06 €	180,60 €
	17,49 €	437,25 €
	17,06 €	853,00 €
	16,46 €	1.646,00 €
	16,03 €	4.328,10 €
	15,32 €	8.272,80 €
1.080	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Everspin Technologies
Catégorie du produit:	MRAM
RoHS:
Package/Boîte:	TSOP-II-44
Type d'interface:	Parallel
Taille de la mémoire:	1 Mbit
Organisation:	128 k x 8
Largeur du bus de données:	8 bit
Temps d'accès:	35 ns
Tension d’alimentation - Min.:	3 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	25 mA, 55 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	MR0A08B
Conditionnement:	Tray
Marque:	Everspin Technologies
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Pd - Dissipation d’énergie :	600 mW
Type de produit:	MRAM
Nombre de pièces de l'usine:	135
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Nom commercial:	Parallel I/O (x8)
Poids de l''unité:	5,066 g

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Fiche technique

MR0A08BCYS35 Fiche technique (PDF)

PCN

Alternative Format for Trace Codes (PDF)

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.