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MAPC-A3007-AB000

Name: MACOM MAPC-A3007-AB000
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3007-AB000
Price: 304.97 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

937-MAPC-A3007-AB000

N° de fab. :

MAPC-A3007-AB000

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

MAPC-A3007-AB000 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	440166
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	84 V
Id - Courant continu de fuite:	4.6 A
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 2 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Marque:	MACOM
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Gain:	13.2 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	6 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	DC
Alimentation en sortie:	46.4 dBm
Produit:	GaN FETs
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Transistors
Type:	GaN on SiC Transistor

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.