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MAPC-A3005-ADTR1

Name: MACOM MAPC-A3005-ADTR1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3005-ADTR1
Price: 96.18 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

937-MAPC-A3005-ADTR1

N° de fab. :

MAPC-A3005-ADTR1

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

MAPC-A3005-ADTR1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PDFN-12
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	84 V
Id - Courant continu de fuite:	1.4 A
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 2 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Pd - Dissipation d’énergie :	8 W
Marque:	MACOM
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Gain:	19 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	6 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	DC
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	39.9 dBm
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	GaN FETs
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN, SiC
Type:	SiC Transistor

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.