KTDM8G4B632BGCBCT

SMARTsemi
473-KTDM8G4B63BGCBCT
KTDM8G4B632BGCBCT

Fab. :

Description :
DRAM DDR4, 8Gb, 512Mbx16, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 96-ball FBGA, Commercial temp

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
SMART
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
8 Gbit
16 bit
1.6 GHz
FBGA-96
512 M x 16
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 85 C
Marque: SMARTsemi
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

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