KTDM2G3C618BGCEAT

SMARTsemi
473-M2G3C618BGCEAT
KTDM2G3C618BGCEAT

Fab. :

Description :
DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial

Modèle de ECAO:
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2.574 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
SMART
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
2 Gbit
16 bit
933 MHz
FBGA-96
128 M x 16
1.283 V
1.575 V
0 C
+ 85 C
KTDM
Tray
Marque: SMARTsemi
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 198
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.