Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

ISC073N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC073N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC073N12LM6ATMA
Price: 2.78 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-ISC073N12LM6ATMA

N° de fab. :

ISC073N12LM6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >100-150V

Fiche technique:

ISC073N12LM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies ISC073N12LM6ATMA1

En stock: 4.584

Stock:: 4.584

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 4.800

06/03/2026 attendu
Délai usine :: 26

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,78 €	2,78 €
	1,81 €	18,10 €
	1,26 €	126,00 €
	1,08 €	540,00 €
	1,03 €	1.030,00 €
	0,946 €	2.365,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,909 €	4.545,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	86 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	14.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	45 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	18 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC073N12LM6 SP005586060

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

ISC073N12LM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de R_DS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.

MOSFET à canal N OptiMOS™ 3

Les MOSFET à canal N OptiMOS™ 3 Infineon Technologies disposent d'une faible résistance à l'état passant dans un boîtier SuperSO8 sans fil. Les MOSFET OptiMOS 3 permettent d'augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 % dans les applications industrielles, grand public et de télécommunications.Les OptiMOS™ 3 sont disponibles en version de MOSFET à canal N de 40 V, 60 V et 80 V et en boîtiers SuperSO8 et Shrink SuperSO8 (S3O8). Par rapport aux boîtiers TO (Transistor Outline) standard, le SuperSO8 peut augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 %.