IS66WVE2M16EALL-70BLI

ISSI
870-E2M16EALL70BLI
IS66WVE2M16EALL-70BLI

Fab. :

Description :
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Modèle de ECAO:
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En stock: 310

Stock:
310 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1   Maximum : 200
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
5,56 € 5,56 €
5,18 € 51,80 €
5,02 € 125,50 €
4,90 € 245,00 €
4,79 € 479,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
ISSI
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
1.95 V
1.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
Marque: ISSI
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Série: IS66WVE2M16EALL
Nombre de pièces de l'usine: 480
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.