IS46TR16128DL-125KBLA2

ISSI
870-46T16128DL15KBA2
IS46TR16128DL-125KBLA2

Fab. :

Description :
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS

Modèle de ECAO:
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En stock: 193

Stock:
193 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1   Maximum : 200
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
7,78 € 7,78 €
7,24 € 72,40 €
7,02 € 175,50 €
6,85 € 342,50 €
6,54 € 654,00 €
6,36 € 1.208,40 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
7,91 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
ISSI
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
2 Gbit
16 bit
800 MHz
BGA-96
128 M x 16
20 ns
1.425 V
1.575 V
- 40 C
+ 105 C
IS46TR16128DL
Marque: ISSI
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 190
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 188 mA
Poids de l''unité: 4,065 g
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR3 SDRAM

ISSI DDR3 SDRAM delivers high-speed data transfer rates up to 2133Mbps in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI DDR3 SDRAM is available in a 64Mx16, 128Mx8, 128Mx16, 256Mx8, or  256Mx16 organization. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, and programmable CAS latency. ISSI DDR3 SDRAMs are well-suited for telecom & networking, automotive, and industrial embedded computing.

IS43TRx 2GB DDR3 SDRAMs

ISSI IS43/46TRx DDR3 SDRAMs deliver high-speed SDRAM in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI 2GBit DDR3 SDRAM features 128Mx16 or 256Mx8 organization and supply voltage at 1.35V with a maximum clock frequency of 666MHz or 800MHz. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, with programmable CAS latency. Applications include telecom and networking, automotive, and industrial embedded computing.