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IS43TR82560C-125KBL

Name: ISSI IS43TR82560C-125KBL
Brand: ISSI
SKU: 870-43TR82560C125KBL
Price: 8.42 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

870-43TR82560C125KBL

N° de fab. :

IS43TR82560C-125KBL

Fab. :

ISSI

Description :

DRAM 2G 256Mx8 1600MT/s DDR3 1.5V

Fiche technique:

IS43TR82560C-125KBL Fiche technique (PDF)

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	8,42 €	8,42 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire:	2 Gbit
Largeur du bus de données:	8 bit
Fréquence de l'horloge max.:	800 MHz
Package/Boîte:	BGA-78
Organisation:	256 M x 8
Temps d'accès:	20 ns
Tension d’alimentation - Min.:	1.425 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.575 V
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 95 C
Série:	IS43TR82560C
Marque:	ISSI
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	242
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	107 mA
Poids de l''unité:	1,759 g

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Fiche technique

IS43TR82560C-125KBL Fiche technique (PDF)

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CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR3 SDRAM

ISSI DDR3 SDRAM delivers high-speed data transfer rates up to 2133Mbps in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI DDR3 SDRAM is available in a 64Mx16, 128Mx8, 128Mx16, 256Mx8, or 256Mx16 organization. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, and programmable CAS latency. ISSI DDR3 SDRAMs are well-suited for telecom & networking, automotive, and industrial embedded computing.

IS43TRx 2GB DDR3 SDRAMs

ISSI IS43/46TRx DDR3 SDRAMs deliver high-speed SDRAM in a small BGA-96 or BGA-78 package. ISSI 2GBit DDR3 SDRAM features 128Mx16 or 256Mx8 organization and supply voltage at 1.35V with a maximum clock frequency of 666MHz or 800MHz. Features include bidirectional differential data strobe, data masking per byte on Write commands, programmable burst length of 4 or 8, with programmable CAS latency. Applications include telecom and networking, automotive, and industrial embedded computing.