IS42S32800J-7BLI

ISSI
870-42S32800J7BLI
IS42S32800J-7BLI

Fab. :

Description :
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT

Modèle de ECAO:
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ISSI
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
32 bit
143 MHz
BGA-90
8 M x 32
6.5 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS42S32800J
Marque: ISSI
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 170 mA
Poids de l''unité: 1,865 g
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DRAM synchrone 3,3 V à débit de données unique (SDR)

La DRAM synchrone 3,3 V à débit de données unique (SDR) d'ISSI fournit une grande sélection de SDRAM SDR avec des densités de 16 Mbits à 512 Mbits en organisations 1Mx16, 4Mx16 et 8Mx16. Chacun de ces dispositifs comprend une tension d'alimentation simple (3,3 V +/-0,3 V), des temporisations d'horloge SDRAM standard, des entrées compatibles LVTTL, des longueurs de rafale programmables de 1, 2, 4, 8 ou pleine page, des modes d'actualisation automatique ou autonome et une latence CAS programmable de 2 ou 3. Les applications habituelles pour ces dispositifs comprennent les points d'accès sans fil, les stations de base, les routeurs, le stockage réseau, la gestion d'énergie, les commandes industrielles, l'infoloisir automobile et la télématique automobile.
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