IS42S32200N-6TL

ISSI
870-IS42S32200N-6TL
IS42S32200N-6TL

Fab. :

Description :
DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS

Cycle de vie:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
ISSI
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
32 bit
166 MHz
TSOP-II-86
2 M x 32
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
Marque: ISSI
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 108
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 70 mA
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DRAM synchrone 3,3 V à débit de données unique (SDR)

La DRAM synchrone 3,3 V à débit de données unique (SDR) d'ISSI fournit une grande sélection de SDRAM SDR avec des densités de 16 Mbits à 512 Mbits en organisations 1Mx16, 4Mx16 et 8Mx16. Chacun de ces dispositifs comprend une tension d'alimentation simple (3,3 V +/-0,3 V), des temporisations d'horloge SDRAM standard, des entrées compatibles LVTTL, des longueurs de rafale programmables de 1, 2, 4, 8 ou pleine page, des modes d'actualisation automatique ou autonome et une latence CAS programmable de 2 ou 3. Les applications habituelles pour ces dispositifs comprennent les points d'accès sans fil, les stations de base, les routeurs, le stockage réseau, la gestion d'énergie, les commandes industrielles, l'infoloisir automobile et la télématique automobile.
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