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IPW95R130PFD7XKSA1

Name: Infineon IPW95R130PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW95R130PFD7XKS
Price: 4.5 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPW95R130PFD7XKS

N° de fab. :

IPW95R130PFD7XKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_NEW

Fiche technique:

IPW95R130PFD7XKSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	4,46 €	44,60 €
	2,74 €	68,50 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	950 V
Id - Courant continu de fuite:	36.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	130 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	141 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	227 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	3.6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Série:	IPW95R130PFD7
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	118 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPW95R130PFD7 SP005547004

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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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