Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IPB95R310PFD7ATMA1

Name: Infineon IPB95R310PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB95R310PFD7ATM
Price: 2.98 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPB95R310PFD7ATM

N° de fab. :

IPB95R310PFD7ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET LOW POWER_NEW

Fiche technique:

IPB95R310PFD7ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IPB95R310PFD7ATMA1

En stock: 2.000

Stock:: 2.000 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,98 €	2,98 €
	1,94 €	19,40 €
	1,37 €	137,00 €
	1,19 €	595,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,01 €	1.010,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	950 V
Id - Courant continu de fuite:	17.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	310 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	61 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	61 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP005547008

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IPB95R310PFD7ATMA1 Fiche technique (PDF)

ROHS Declaration of Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à super-jonction CoolMOS™ PFD7 950 V

Les MOSFET à super-jonction (SJ) PFD7 CoolMOS™ 950 V d'Infineon Technologies offrent des technologies de super-jonction (SJ). La technologie SJ est idéale pour les applications d'éclairage et SMPS industrielles en intégrant les meilleures performances de sa catégorie avec une facilité d'utilisation de pointe. Le PFDJ fournit une diode de corps ultra-rapide intégrée permettant une utilisation dans les topologies résonantes avec la charge de récupération inverse (Qrr) la plus faible.