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IPB339N20NM6ATMA1

Name: Infineon IPB339N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB339N20NM6ATMA
Price: 3.1 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPB339N20NM6ATMA

N° de fab. :

IPB339N20NM6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >150 - 400V

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

IPB339N20NM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

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	3,10 €	3,10 €
	2,12 €	21,20 €
	1,67 €	167,00 €
	1,55 €	775,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	1,31 €	1.310,00 €
	1,28 €	2.560,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	39 A
Rds On - Résistance drain-source:	33.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	15.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	7.3 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPB339N20NM6 SP005562858

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de R_DS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.

MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ de 6 200 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à canal N de niveau normal disponibles dans les boîtiers PG-TO263-3, PG-TO220-3 et PG-HDSOP-16. Ces MOSFET présentent un excellent produit de charge de grille x R_DS(on) (FOM), une charge de récupération inverse très faible (Q_rr) et une faible résistance R_DS(on) à l'état passant. Les MOSFET OptiMOS™ de 6 200 V fonctionnent à une température de 175 °C. Ces MOSFET sont sans halogène conformément à la norme IEC61249‑2‑21 et observent un niveau de sensibilité à l'humidité (MSL 1) selon les normes J‑STD-020. Les MOSFET OptiMOS™ de 6 200 V sont idéaux pour les applications dans le domaine des énergies renouvelables, le contrôle de moteur, les amplificateurs audio et les applications industrielles.