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IPA95R450PFD7XKSA1

Name: Infineon IPA95R450PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA95R450PFD7XKS
Price: 2.33 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPA95R450PFD7XKS

N° de fab. :

IPA95R450PFD7XKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET LOW POWER_NEW

Fiche technique:

IPA95R450PFD7XKSA1 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,33 €	2,33 €
	1,15 €	11,50 €
	1,06 €	106,00 €
	0,851 €	425,50 €
	0,732 €	732,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	950 V
Id - Courant continu de fuite:	7.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	450 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	43 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPA95R450PFD7 SP005547011

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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