Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IMYH200R100M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R100M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R100M1HXK
Price: 13.39 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IMYH200R100M1HXK

N° de fab. :

IMYH200R100M1HXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

Fiche technique:

IMYH200R100M1HXKSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IMYH200R100M1HXKSA1

Disponibilité

Stock:: 0

Vous pouvez toujours acheter ce produit pour une commande de réassortiment.

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 4.353

02/07/2026 attendu
Délai usine :: 26

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	13,39 €	13,39 €
	9,88 €	98,80 €
	8,71 €	871,00 €
	8,68 €	4.166,40 €
	8,65 €	10.380,00 €
2.640	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	2 kV
Id - Courant continu de fuite:	26 A
Rds On - Résistance drain-source:	131 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	55 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	217 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSIC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	5 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	2 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMYH200R100M1H SP005427376

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IMYH200R100M1HXKSA1 Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC™ 2000 V

Les MOSFET CoolSiC™ 2 000 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à tranchée dans un boîtier TO-247PLUS-4-HCC. Ces MOSFET sont conçus pour fournir une densité de puissance accrue sans sacrifier la fiabilité du système, même dans des conditions exigeantes de haute tension et de fréquence de commutation. Les faibles pertes de puissance de la technologie CoolSiC™ offrent une fiabilité accrue grâce à la technologie d’interconnexion .XT et permettent un rendement maximal dans diverses applications. Les MOSFET 2 000 V disposent d’une tension de seuil de grille de référence de 4,5 V et offrent de très faibles pertes de commutation. Les applications typiques incluent les systèmes de stockage d’énergie, le chargement des véhicules électriques, le convertisseur de chaîne et l’optimiseur d’énergie solaire.