IKW75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW75N120CH7XKSA
IKW75N120CH7XKSA1

Fab. :

Description :
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package

Fiche technique:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
IGBT7 H7
Tube
Marque: Infineon Technologies
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: DE
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: IGBTs
Nom commercial: TRENCHSTOP
Raccourcis pour l'article N°: IKW75N120CH7 SP005578265
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistors discrets TRENCHSTOP IGBT7 H7 1 200 V

Les transistors discrets TRENCHSTOP IGBT7 H7 1 200 V d’Infineon Technologies sont la 7ème génération des IGBTs TRENCHSTOP™ 1 200 V, conçus avec la technologie de tranchée à micro-motif. Ces IGBTs discrets offrent un haut niveau de contrôlabilité, de faibles pertes de conduction, de faibles pertes de commutation, des performances EMI améliorées et une robustesse à l’humidité dans des environnements difficiles. Les transistors discrets H7 IGBT7 permettent la sélection d'une faible résistance de grille (pouvant descendre à 5 Ω) tout en maintenant un excellent comportement de commutation. Ces transistors sont utilisés dans les applications de chargement rapide des véhicules électriques, de chauffage et de soudage industriels, ainsi que dans les alimentations sans interruption (ASI).

IGBT7 discrets

Les IGBT IGBT7 Discretes d'Infineon Technologies sont la 7e génération des IGBT TRENCHSTOP™, créés avec la technologie de tranchée à motifs microstructurés. La technologie avancée fournit un contrôle et des performances inégalés, ce qui entraîne une réduction significative des pertes, une efficacité améliorée et une densité de puissance accrue dans les applications.

Transistors discrets H7 IGBT7 TRENCHSTOP™ 650 V

Les transistors discrets IGBT7 H7 TRENCHSTOP™ 650 V d'Infineon Technologies disposent d’une technologie de pointe, répondant à la demande d’applications énergétiques efficaces. Les transistors 650 V d'Infineon Technologies disposent d’une conception de tranchée à micro-motifs de pointe pour un contrôle précis et de hautes performances. La conception se traduit par une réduction significative des pertes, un rendement amélioré et une densité de puissance améliorée dans divers secteurs tels que les onduleurs à chaîne, les systèmes de stockage d’énergie (ESS), la charge des véhicules électriques, les onduleurs industriels et la soudure.

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