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IKW40N120CS6XKSA1

Name: Infineon IKW40N120CS6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW40N120CS6XKSA
Price: 5.5 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-IKW40N120CS6XKSA

N° de fab. :

IKW40N120CS6XKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs INDUSTRY

Fiche technique:

IKW40N120CS6XKSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	3,90 €	39,00 €
	3,10 €	310,00 €
	2,80 €	1.344,00 €
	2,55 €	3.060,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.85 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	500 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	Trenchstop IGBT6
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Courant de collecteur continu Ic max.:	80 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Courant de fuite gâchette-émetteur:	600 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	TRENCHSTOP
Raccourcis pour l'article N°:	IKW40N120CS6 SP001666622
Poids de l''unité:	6 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 are designed to meet requirements of high efficiency, lower conduction losses, and switching losses. These TRENCHSTOP IGBT6 feature low gate charge, low Electromagnetic Interference (EMI), easy paralleling capability, high efficiency in hard switching, and resonant topologies. The TRENCHSTOP IGBT6 is released in 2 product families, low conduction losses optimized S6 series and improved switching losses H6 series. These IGBT6 are plug-and-play replacements of predecessor HighSpeed3 H3 IGBT. The TRENCHSTOP IGBT6 implement the trench and fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode. These 1200V TRENCHSTOP IGBT6 achieve easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in V_CEsat. Typical applications include industrial UPS, energy storage, three-level solar string inverter, and welding.