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IKW25N120T2

Name: Infineon IKW25N120T2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW25N120T2
Price: 5.2 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

726-IKW25N120T2

N° de fab. :

IKW25N120T2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IKW25N120T2 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,20 €	5,20 €
	3,16 €	31,60 €
	2,64 €	264,00 €
	2,33 €	1.118,40 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.7 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	50 A
Pd - Dissipation d’énergie :	349 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	Trenchstop IGBT4
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Courant de fuite gâchette-émetteur:	200 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	TRENCHSTOP
Raccourcis pour l'article N°:	IKW25N12T2XK SP000244960 IKW25N120T2FKSA1
Poids de l''unité:	38 g

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Fiche technique

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Product Catalogs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IGBT Gen8 1 200 V International Rectifier

Les IGBT Gen8 1 200 V International Rectifier sont dotés de la technologie à arrêt de champ et grille en tranchée de toute dernière génération d'IR et sont livrés dans des boîtiers TO-247 aux standards industriels pour offrir les meilleures performances de leur catégorie pour les applications industrielles et d'économie d'énergie. La technologie Gen8 offre des caractéristiques d'arrêt plus doux idéales pour les applications d'entraînement moteur, en minimisant le dv/dt pour réduire les EMI et les surtensions, augmentant ainsi leur fiabilité et leur robustesse. Ces IGBT Gen8 présentent des courants nominaux compris entre 8 A et 60 A avec une VCE(ON) standard de 1,7 V et une protection nominale contre les courts-circuits de 10 µs pour diminuer la dissipation de puissance, aboutissant ainsi à une densité de puissance et une robustesse accrues. Utilisant la technologie de couche mince, les IGBT Gen8 1 200 V offrent une résistance thermique accrue et une température de jonction pouvant atteindre 175 °C.
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