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IKQB200N75CP2AKSA1

Name: Infineon IKQB200N75CP2AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKQB200N75CP2AKS
Price: 8.99 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IKQB200N75CP2AKS

N° de fab. :

IKQB200N75CP2AKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs 750 V, 200 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

IKQB200N75CP2AKSA1 Fiche technique (PDF)

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	6,01 €	60,10 €
	5,15 €	515,00 €
	4,67 €	2.241,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	750 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.65 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	200 A
Pd - Dissipation d’énergie :	937 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	IKQBXN75CP2
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Courant de collecteur continu Ic max.:	200 A
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	DE
Pays d'origine:	MY
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	IGBTs
Raccourcis pour l'article N°:	IKQB200N75CP2 SP005425420

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Fiche technique

IKQB200N75CP2AKSA1 Fiche technique (PDF)

EOL

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT discrets EDT2 750 V

Les IGBT discrets à train d'entraînement électrique 2 (EDT2) 750 V d'Infineon Technologies permettent aux utilisateurs de profiter de la technologie EDT2 de pointe et des boîtiers CMS TO-247PLUS innovants. Le boîtier CMS TO-247PLUS fournit des performances inégalées dans des conditions difficiles, ouvrant la voie à des solutions de semiconducteurs de puissance fiables, efficaces et économiques. Les IGBT discrets EDT2 750 V en boîtiers CMS TO-247PLUS ont permis une résistance au brasage par refusion et une conception non délaminée. Ce premier boîtier sans délamination du genre dispose d’un encombrement TO-247 et accueille un IGBT 200 A 750 V intégré avec une diode 200 A 750 V dans une configuration à 3 broches. Les IGBT discrets EDT2 750 V sont idéaux pour les véhicules de construction, utilitaires, de chantier et agricoles (CAV), les camions et les bus, les entraînements à usage général (GPD) et les applications de commande moteur.