Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IKQB120N75CP2AKSA1

Name: Infineon IKQB120N75CP2AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKQB120N75CP2AKS
Price: 6.07 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IKQB120N75CP2AKS

N° de fab. :

IKQB120N75CP2AKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs 750 V, 120 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

IKQB120N75CP2AKSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 129

Stock:: 129 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 19 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,07 €	6,07 €
	4,72 €	47,20 €
	4,53 €	2.174,40 €
	4,36 €	5.232,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	750 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.65 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	150 A
Pd - Dissipation d’énergie :	577 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	IKQBXN75CP2
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Courant de collecteur continu Ic max.:	120 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	IGBTs
Raccourcis pour l'article N°:	IKQB120N75CP2 SP005425418

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IKQB120N75CP2AKSA1 Fiche technique (PDF)

EOL

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT discrets EDT2 750 V

Les IGBT discrets à train d'entraînement électrique 2 (EDT2) 750 V d'Infineon Technologies permettent aux utilisateurs de profiter de la technologie EDT2 de pointe et des boîtiers CMS TO-247PLUS innovants. Le boîtier CMS TO-247PLUS fournit des performances inégalées dans des conditions difficiles, ouvrant la voie à des solutions de semiconducteurs de puissance fiables, efficaces et économiques. Les IGBT discrets EDT2 750 V en boîtiers CMS TO-247PLUS ont permis une résistance au brasage par refusion et une conception non délaminée. Ce premier boîtier sans délamination du genre dispose d’un encombrement TO-247 et accueille un IGBT 200 A 750 V intégré avec une diode 200 A 750 V dans une configuration à 3 broches. Les IGBT discrets EDT2 750 V sont idéaux pour les véhicules de construction, utilitaires, de chantier et agricoles (CAV), les camions et les bus, les entraînements à usage général (GPD) et les applications de commande moteur.