IGW15N120H3

Infineon Technologies
726-IGW15N120H3
IGW15N120H3

Fab. :

Description :
IGBTs IGBT PRODUCTS

Modèle de ECAO:
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Prix (EUR)

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3,45 € 3,45 €
1,90 € 19,00 €
1,56 € 156,00 €
1,44 € 691,20 €
1,22 € 1.464,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.05 V
- 20 V, 20 V
30 A
217 W
- 40 C
+ 175 C
HighSpeed 3
Tube
Marque: Infineon Technologies
Courant de fuite gâchette-émetteur: 600 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: IGBTs
Nom commercial: TRENCHSTOP
Raccourcis pour l'article N°: SP000674430 IGW15N12H3XK IGW15N120H3FKSA1
Poids de l''unité: 38 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low VCEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.