IDW12G65C5XKSA1

Infineon Technologies
726-IDW12G65C5XKSA1
IDW12G65C5XKSA1

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC SIC DIODES

Fiche technique:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
Single
12 A
650 V
1.5 V
71 A
600 nA
- 55 C
+ 175 C
XDW12G65
Tube
Marque: Infineon Technologies
Pd - Dissipation d’énergie : 76 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Nom commercial: CoolSiC
Vr - Tension inverse: 650 V
Raccourcis pour l'article N°: IDW12G65C5 SP001633166
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

Découvrez la différence de puissance

Infineon est le leader du marché des semi-conducteurs de puissance. Fort de plus de 20 ans d’expérience et en tant qu’innovateur de la technologie révolutionnaire MOSFET à super-jonction CoolMOS™, Infineon continue d’être pionnier dans le domaine de la gestion de l’alimentation. Les clients peuvent choisir en fonction des exigences individuelles de conception/système parmi la plus large gamme de MOSFET SJ à base de silicium du marché. En tant que l’un des rares fabricants maîtrisant les trois principales technologies d’alimentation, Infineon complète cet assortiment avec une offre révolutionnaire à large bande interdite (WBG). Cette offre comprend des MOSFET CoolSiC™ au carbure de silicium, des diodes correspondantes et des HEMT e-mode CoolGaN™ au nitrure de gallium. Diverses solutions sont disponibles, offrant un excellent rapport qualité-prix, une robustesse inégalée, ou encore des appareils parmi les meilleurs de leur catégorie Cela permet aux clients de construire des applications plus efficaces, plus respectueuses de l’environnement et plus durables.

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Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

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Alimentations en mode commuté (SMPS)

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