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IDH04G65C5XKSA2

Name: Infineon IDH04G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH04G65C5XKSA2
Price: 1.98 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IDH04G65C5XKSA2

N° de fab. :

IDH04G65C5XKSA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Diodes Schottky SiC SIC DIODES

Fiche technique:

IDH04G65C5XKSA2 Fiche technique (PDF)

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	1,98 €	1,98 €
	0,972 €	9,72 €
	0,86 €	86,00 €
	0,568 €	284,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	4 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.5 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	38 A
Ir - Courant inverse:	200 nA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	XDH04G65
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Pd - Dissipation d’énergie :	48 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	CoolSiC
Vr - Tension inverse:	650 V
Raccourcis pour l'article N°:	IDH04G65C5 SP001632402
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

IDH04G65C5XKSA2 Fiche technique (PDF)

Models

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

Simulation Model SiC Diodes CoolSiC™ PSpice Generation 5 650V IDHxxG65C5 (Compresser)

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Découvrez la différence de puissance

Infineon est le leader du marché des semi-conducteurs de puissance. Fort de plus de 20 ans d’expérience et en tant qu’innovateur de la technologie révolutionnaire MOSFET à super-jonction CoolMOS™, Infineon continue d’être pionnier dans le domaine de la gestion de l’alimentation. Les clients peuvent choisir en fonction des exigences individuelles de conception/système parmi la plus large gamme de MOSFET SJ à base de silicium du marché. En tant que l’un des rares fabricants maîtrisant les trois principales technologies d’alimentation, Infineon complète cet assortiment avec une offre révolutionnaire à large bande interdite (WBG). Cette offre comprend des MOSFET CoolSiC™ au carbure de silicium, des diodes correspondantes et des HEMT e-mode CoolGaN™ au nitrure de gallium. Diverses solutions sont disponibles, offrant un excellent rapport qualité-prix, une robustesse inégalée, ou encore des appareils parmi les meilleurs de leur catégorie Cela permet aux clients de construire des applications plus efficaces, plus respectueuses de l’environnement et plus durables.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).

MOSFET et diodes CoolSiC™ au carbure de silicium

Les MOSFET et diodes CoolSiC™ au carbure de silicium d'Infineon fournissent une gamme qui répond au besoin d’une production, d’une transmission et d’une consommation d’énergie plus intelligentes et plus efficaces. Le portefeuille CoolSiC répond aux besoins des clients en matière de réduction de la taille et du coût des systèmes de moyenne à haute puissance tout en respectant les normes de qualité les plus élevées, en offrant une longue durée de vie du système et en garantissant la fiabilité. Avec CoolSiC, les clients atteindront les objectifs d’efficacité les plus stricts tout en observant une baisse des coûts des systèmes opérationnels. Le portefeuille se compose de diodes SCHOTTKY CoolSiC, de modules hybrides CoolSiC, de modules MOSFET CoolSiC et de CI pilotes de grille EiceDRIVER™ pour piloter les dispositifs au carbure de silicium.

CoolSiC™ Schottky Diodes

Infineon CoolSiC™ Schottky Diodes provide a relatively high on-state resistance and leakage current. In SiC material, Schottky diodes can reach a much higher breakdown voltage. The Infineon portfolio of SiC Schottky products covers 600V and 650V to 1200V Schottky diodes. Combining a fast silicon-based switch with a CoolSiC™ Schottky diode is often termed a “hybrid” solution. In recent years, Infineon has manufactured several millions of hybrid modules and has seen them installed in various customer products in applications like solar and uninterruptible power supplies (UPS).