Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IAUCN08S7L013ATMA1

Name: Infineon IAUCN08S7L013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN08S7L013ATM
Price: 3.68 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IAUCN08S7L013ATM

N° de fab. :

IAUCN08S7L013ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IAUCN08S7L013ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IAUCN08S7L013ATMA1

En stock: 3.030

Stock:: 3.030 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,68 €	3,68 €
	2,43 €	24,30 €
	1,71 €	171,00 €
	1,57 €	785,00 €
	1,48 €	1.480,00 €
	1,46 €	3.650,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	1,46 €	7.300,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	293 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.26 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	120 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	219 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	35 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Série:	OptiMOS 7
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	102.4 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IAUCN08S7L013 SP006059915

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IAUCN08S7L013ATMA1 Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance automobile OptiMOS™ 7

Infineon Technologies présente sa technologie de pointe OptiMOS™ 7 MOSFET de puissance automobile avec une résistance à l’état passant remarquablement faible, des pertes de commutation réduites et une robustesse améliorée. OptiMOS 7 redéfinit le paysage des MOSFET de puissance automobile. La technologie de MOSFET OptiMOS 7 d'Infineon établit un nouveau standard pour les applications automobiles, permettant performance et efficacité tout en répondant aux défis des systèmes automobiles de demain.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V pour l'automobile

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V pour l'automobile d'Infineon Technologies sont fabriqués avec la technologie de semiconducteurs de puissance de pointe d'Infineon. Ces MOSFET sont conçus spécifiquement pour offrir la haute performance, la qualité et la robustesse nécessaires aux applications automobiles exigeantes. Les MOSFET OptiMOS™ 7 80 V fonctionnent avec une tension de source de grille de ±20 V_GS et une plage de température de -55 °C à 175 °C. Ces MOSFET sont proposés dans un boîtier CMS SSO10T de 5 x 7 mm2 refroidi par le dessus. Le boîtier SSO10T aide les utilisateurs à réaliser des progrès en matière de refroidissement et de densité de puissance. Les MOSFET de puissance 80 V sont classés MSL-1, conformes à la directive RoHS et 100 % avalanche. Ces MOSFET de puissance sont idéaux pour les applications automobiles générales.