Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

HT8MB5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MB5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MB5TB1
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-HT8MB5TB1

N° de fab. :

HT8MB5TB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET HSMT8 NPCH 40V 12A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

HT8MB5TB1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor HT8MB5TB1

En stock: 2.691

Stock:: 2.691 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,75 €	1,75 €
	1,12 €	11,20 €
	0,742 €	74,20 €
	0,608 €	304,00 €
	0,539 €	539,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,46 €	1.380,00 €
	0,455 €	2.730,00 €
	0,451 €	10.824,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSMT-8
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V, 40 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A, 15 A
Rds On - Résistance drain-source:	47 mOhms, 56 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V, 2.5 V
Qg - Charge de grille:	3.5 nC, 16.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	13 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	2.7 ns, 41 ns
Transconductance directe - min.:	2.1 S, 6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.7 ns, 29 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type:	11 ns, 86 ns
Délai d'activation standard:	5 ns, 9.6 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

HT8MB5TB1 Fiche technique

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Canal double à petit signal MOSFET

Les MOSFET à canal double à petit signal ROHM Semiconductor présentent une faible résistance et une commutation rapide. Ces MOSFET sont conforme à la directive RoHS et incluent un placage sans Pb. Les MOSFET à canal double fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à 150 °C. Ces MOSFET sont utilisés dans les entraînements à moteur et les applications de commutation.