HP8KF7HTB1

ROHM Semiconductor
755-HP8KF7HTB1
HP8KF7HTB1

Fab. :

Description :
MOSFET HSOP8 150V DUAL 18.5A

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
3,25 € 3,25 €
2,13 € 21,30 €
1,57 € 157,00 €
1,40 € 700,00 €
1,37 € 1.370,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
1,16 € 2.900,00 €
1,15 € 5.750,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
Si
SMD/SMT
HSOP-8
N-Channel
2 Channel
150 V
18.5 A
62 mOhms
24 V
4 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: ROHM Semiconductor
Configuration: Dual
Temps de descente: 19 ns
Transconductance directe - min.: 7.1 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 11 ns
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel
Délai de désactivation type: 40 ns
Délai d'activation standard: 19 ns
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Canal double à petit signal MOSFET

Les MOSFET à canal double à petit signal   ROHM Semiconductor présentent une faible résistance et une commutation rapide. Ces MOSFET sont conforme à la directive RoHS et incluent un placage sans Pb. Les MOSFET à canal double fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à 150 °C. Ces MOSFET sont utilisés dans les entraînements à moteur et les applications de commutation.