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GP2T040A120J

Name: SemiQ GP2T040A120J
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120J
Price: 10.15 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

148-GP2T040A120J

N° de fab. :

GP2T040A120J

Fab. :

SemiQ

Description :

SiC MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET

Fiche technique:

GP2T040A120J Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	10,15 €	10,15 €
	7,94 €	79,40 €
	6,60 €	660,00 €
	5,89 €	2.945,00 €
	5,01 €	5.010,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	66 A
Rds On - Résistance drain-source:	38 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	112 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	357 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	SemiQ
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	16 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	5 ns
Série:	GP2T020A120
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	28 ns
Délai d'activation standard:	14 ns

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Fiche technique

GP2T040A120J Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.