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GE08MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE08MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE08MPS06E-TR
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

905-GE08MPS06E-TR

N° de fab. :

GE08MPS06E-TR

Fab. :

GeneSiC Semiconductor

Description :

Diodes Schottky SiC 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

GE08MPS06E-TR Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,06 €	2,06 €
	1,81 €	18,10 €
	1,71 €	42,75 €
	1,58 €	158,00 €
	1,50 €	375,00 €
	1,44 €	720,00 €
	1,38 €	1.380,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,31 €	3.275,00 €
	1,28 €	6.400,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Navitas Semiconductor
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	8 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.25 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	56 A
Ir - Courant inverse:	1 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	SiC Schottky MPS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Pd - Dissipation d’énergie :	132 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	650 V

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Fiche technique

GE08MPS06E-TR Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

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