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GE06MPS06Q-TR

Name: Navitas Semiconductor GE06MPS06Q-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE06MPS06Q-TR
Price: 1.07 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

905-GE06MPS06Q-TR

N° de fab. :

GE06MPS06Q-TR

Fab. :

GeneSiC Semiconductor

Description :

Diodes Schottky SiC 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

GE06MPS06Q-TR Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Navitas Semiconductor
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-8
Configuration:	Single
If - Courant direct:	6 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.25 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	33 A
Ir - Courant inverse:	1 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	SiC Schottky MPS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Pd - Dissipation d’énergie :	133 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	650 V

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Fiche technique

GE06MPS06Q-TR Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.