GCMX080A120B2H2P

SemiQ
148-GCMX080A120B2H2P
GCMX080A120B2H2P

Fab. :

Description :
Modules MOSFET 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

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520 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
SemiQ
Catégorie du produit: Modules MOSFET
RoHS:  
SiC
Press Fit
B2
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
27 A
100 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
119 W
GCMX
Bulk
Marque: SemiQ
Temps de descente: 12 ns
Hauteur: 15 mm
Longueur: 62.8 mm
Produit: Modules
Type de produit: MOSFET Modules
Temps de montée: 5 ns
Nombre de pièces de l'usine: 40
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Type: Full Bridge Module
Délai de désactivation type: 22 ns
Délai d'activation standard: 11 ns
Vf - Tension directe: 4.2 V
Largeur: 33.8 mm
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Attributs sélectionnés: 0

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX

Les modules à pont complet MOSFET SiC GCMX 1 200 V de SemiQ offrent de faibles pertes de commutation, une faible résistance thermique jonction-boîtier et un montage aisé et très robuste. Ces modules sont montés directement sur le dissipateur thermique (boîtier isolé) et comprennent une référence Kelvin pour un fonctionnement stable. Toutes les pièces ont été rigoureusement testées pour résister à des tensions supérieures à 1 350 V. Ces modules sont principalement caractérisés par leur solide tension drain-source de 1 200 V. Les modules à pont complet GCMX fonctionnent à une température de jonction de 175°C et sont conformes à la directive RoHS. Les applications standard comprennent les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs de batterie, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.