GCMX005A120B3B1P

SemiQ
148-GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P

Fab. :

Description :
Modules MOSFET SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module

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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
SemiQ
Catégorie du produit: Modules MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
N-Channel
1.2 kV
383 A
4.4 mOhms
- 5 V, + 20 V
1.8 V
- 40 C
+ 175 C
1.154 kW
GCMX
Reel
Cut Tape
Marque: SemiQ
Temps de descente: 29 ns
Type de produit: MOSFET Modules
Temps de montée: 22 ns
Nombre de pièces de l'usine: 40
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Type: Half-Bridge
Délai de désactivation type: 114 ns
Délai d'activation standard: 51 ns
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX

Les modules à demi-pont MOSFET SiC GCMX 1 200 V de SemiQ offrent de faibles pertes de commutation, une faible résistance thermique jonction-boîtier et un montage aisé et très robuste. Ces modules sont montés directement sur le dissipateur thermique (boîtier isolé) et comprennent une référence Kelvin pour un fonctionnement stable. Toutes les pièces ont été rigoureusement testées pour résister à des tensions supérieures à 1 350 V. Ces modules sont caractérisés par leur solide tension drain-source de 1 200 V. Les modules à demi-pont GCMX fonctionnent à une température de jonction de 175°C et sont conformes à la directive RoHS. Les applications standard comprennent les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs de batterie, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.