GCMS020B120S1-E1

SemiQ
148-GCMS020B120S1-E1
GCMS020B120S1-E1

Fab. :

Description :
Modules à semi-conducteurs discrets SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Minimum : 1   Multiples : 1
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
32,68 € 32,68 €
24,31 € 243,10 €
22,70 € 2.724,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
SemiQ
Catégorie du produit: Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
Silicon Carbide (SiC) Module
SiC
1.49 V
- 5 V, + 10 V
Screw Mount
SOT-227-4
- 55 C
+ 175 C
GCMS
Tube
Marque: SemiQ
Configuration: Single
Temps de descente: 25 ns
Id - Courant continu de fuite: 113 A
Pd - Dissipation d’énergie : 395 W
Type de produit: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source: 28 mOhms
Temps de montée: 8 ns
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Discrete Semiconductor Modules
Polarité du transistor: N-Channel
Délai de désactivation type: 46 ns
Délai d'activation standard: 25 ns
Vds - Tension de rupture drain-source: 1.2 kV
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 4 V
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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