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FS520R12A8P1LBHPSA1

Name: Infineon FS520R12A8P1LBHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS520R12A8P1LBHP
Price: 428.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-FS520R12A8P1LBHP

N° de fab. :

FS520R12A8P1LBHPSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT HYBRID PACK DRIVE G2 SI

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

FS520R12A8P1LBHPSA1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
Produit:	IGBT Modules
Configuration:	Hex
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.48 V
Courant collecteur continu de 25 C:	520 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Pd - Dissipation d’énergie :	1 kW
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Style de montage:	Press Fit
Type de produit:	IGBT Modules
Série:	Drive G2
Nombre de pièces de l'usine:	6
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Technologie:	Si
Nom commercial:	HybridPACK
Raccourcis pour l'article N°:	FS520R12A8P1LB SP005850366

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules HybridPACK™ Drive G2

Les modules HybridPACK ™ Drive G2 d'Infineon Technologies sont des modules d'alimentation compacts conçus pour les tractions de véhicules électriques et hybrides. Les modules G2 d'Infineon Technologies offrent des niveaux de performances évolutifs en utilisant les technologies Si ou SiC et différents chipsets, tout en conservant la même taille de module. Introduit en 2017 avec technologie EDT2 silicium, il a été optimisé pour plus d'efficacité en conduite réelle. En 2021, une version CoolSiC™ a été introduite, offrant une densité de cellule plus élevée et de meilleures performances. En 2023, la deuxième génération, HybridPACK Drive G2, a été lancée avec les technologies de MOSFET EDT3 (Si IGBT) et CoolSiC™ G2, offrant plus de facilité d'utilisation et d'options d'intégration pour les capteurs, permettant des performances atteignant 300 kW dans les classes 750 V et 1 200 V.