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FS1000R08A7P3BHPSA1

Name: Infineon FS1000R08A7P3BHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1000R08A7P3BHP
Price: 438.93 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-FS1000R08A7P3BHP

N° de fab. :

FS1000R08A7P3BHPSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules MOSFET HybridPACK Drive G2 module

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

FS1000R08A7P3BHPSA1 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	HybridPACK
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6.65 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	750 W
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Temps de descente:	91 ns
Produit:	Modules
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	50 ns
Nombre de pièces de l'usine:	6
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Délai de désactivation type:	929 ns
Délai d'activation standard:	222 ns
Vf - Tension directe:	1.76 V
Vr - Tension inverse:	750 V
Raccourcis pour l'article N°:	FS1000R08A7P3B SP005913585

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Fiche technique

FS1000R08A7P3BHPSA1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules HybridPACK™ Drive G2

Les modules HybridPACK ™ Drive G2 d'Infineon Technologies sont des modules d'alimentation compacts conçus pour les tractions de véhicules électriques et hybrides. Les modules G2 d'Infineon Technologies offrent des niveaux de performances évolutifs en utilisant les technologies Si ou SiC et différents chipsets, tout en conservant la même taille de module. Introduit en 2017 avec technologie EDT2 silicium, il a été optimisé pour plus d'efficacité en conduite réelle. En 2021, une version CoolSiC™ a été introduite, offrant une densité de cellule plus élevée et de meilleures performances. En 2023, la deuxième génération, HybridPACK Drive G2, a été lancée avec les technologies de MOSFET EDT3 (Si IGBT) et CoolSiC™ G2, offrant plus de facilité d'utilisation et d'options d'intégration pour les capteurs, permettant des performances atteignant 300 kW dans les classes 750 V et 1 200 V.