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FP75R12N2T7BPSA2

Name: Infineon FP75R12N2T7BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP75R12N2T7BPSA2
Price: 68.38 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-FP75R12N2T7BPSA2

N° de fab. :

FP75R12N2T7BPSA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Modules IGBT 1200 V, 75 A PIM IGBT module

Fiche technique:

FP75R12N2T7BPSA2 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
Produit:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	3-Phase Inverter
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Courant collecteur continu de 25 C:	75 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine:	15
Sous-catégorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Raccourcis pour l'article N°:	FP75R12N2T7 SP005597318 FP75R12N2T7BPSA1

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Fiche technique

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TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Redresseurs d'entrée triphasés PIM 1 200 V

Les redresseurs d'entrée triphasés PIM 1 200 V d'Infineon Technologies sont des modules IGBT PIM triphasés 1 200 V, 100 A EconoPIM™ 2. Les redresseurs disposent d'un IGBT7 TRENCHSTOP™, d'une diode 7 contrôlée par émetteur et d'un NTC.Le PIM (modules de puissance intégrés) avec l'intégration du redresseur et du hacheur de freinage permet des économies de coûts système.