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FM28V020-SGTR

Name: Infineon FM28V020-SGTR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM28V020-SGTR
Price: 13 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

877-FM28V020-SGTR

N° de fab. :

FM28V020-SGTR

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM

Fiche technique:

FM28V020-SGTR Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	13,00 €	13,00 €
	12,07 €	120,70 €
	11,70 €	292,50 €
	11,41 €	570,50 €
	11,13 €	1.113,00 €
	10,77 €	2.692,50 €
	10,71 €	5.355,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	8,51 €	8.510,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

FM28V020-SG

Conditionnement:

Tube

Disponibilité:

En stock

Prix:

12,96 €

Min.:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

FM28V020-SG

Description :

F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	F-RAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	256 kbit
Type d'interface:	Parallel
Organisation:	32 k x 8
Package/Boîte:	SOIC-28
Temps d'accès:	60 ns
Tension d’alimentation - Min.:	2 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	FM28V020-SG
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	TH
Pays de diffusion:	US
Pays d'origine:	US
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement:	3.3 V
Type de produit:	FRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Poids de l''unité:	2,215 g

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Fiche technique

FM28V020-SGTR Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8542329000
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.