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FM25V10-GTR

Name: Infineon FM25V10-GTR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 877-FM25V10-GTR
Price: 12.59 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

877-FM25V10-GTR

N° de fab. :

FM25V10-GTR

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

Fiche technique:

FM25V10-GTR Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	12,59 €	12,59 €
	11,69 €	116,90 €
	11,32 €	283,00 €
	11,05 €	552,50 €
	10,78 €	1.078,00 €
	10,42 €	2.605,00 €
	10,23 €	5.115,00 €
	10,22 €	10.220,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	9,69 €	24.225,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

FM25V10-G

Conditionnement:

Tube

Disponibilité:

En stock

Prix:

12,38 €

Min.:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

FM25V10-G

Description :

F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	F-RAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	1 Mbit
Type d'interface:	SPI
Fréquence de l'horloge max.:	25 MHz, 40 MHz
Organisation:	128 k x 8
Package/Boîte:	SOIC-8
Tension d’alimentation - Min.:	2 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	FM25V10-G
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement:	2 V to 3.6 V
Type de produit:	FRAM
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Poids de l''unité:	540 mg

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Fiche technique

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CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.