FM25V10-DG

Infineon Technologies
727-FM25V10-DG
FM25V10-DG

Fab. :

Description :
F-RAM FRAM

Modèle de ECAO:
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En stock: 102

Stock:
102 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
13,69 € 13,69 €
12,70 € 127,00 €
12,31 € 307,75 €
12,01 € 600,50 €
11,71 € 1.171,00 €
11,19 € 2.797,50 €
11,09 € 4.103,30 €
1.110 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: F-RAM
RoHS:  
1 Mbit
SPI
25 MHz, 40 MHz
128 k x 8
DFN-8
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM25V10-G
Tube
Marque: Infineon Technologies
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement: 2 V to 3.6 V
Type de produit: FRAM
Nombre de pièces de l'usine: 370
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.