FM25V05-GTR

Infineon Technologies
877-FM25V05-GTR
FM25V05-GTR

Fab. :

Description :
F-RAM 512K (64KX8) 3.3V F-RAM

Modèle de ECAO:
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En stock: 1.412

Stock:
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Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
8,94 € 8,94 €
8,31 € 83,10 €
8,06 € 201,50 €
7,86 € 393,00 €
7,67 € 767,00 €
7,42 € 1.855,00 €
7,28 € 3.640,00 €
7,10 € 7.100,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
6,66 € 16.650,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Tube
Disponibilité:
En stock
Prix:
8,63 €
Min.:
1

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Infineon Technologies
F-RAM 512K (64KX8) 3.3V F-RAM

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: F-RAM
RoHS:  
512 kbit
SPI
25 MHz, 40 MHz
64 k x 8
SOIC-8
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM25V05-G
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement: 3.3 V
Type de produit: FRAM
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Poids de l''unité: 540 mg
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8542329000
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320905
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.