FGD5T120SH

onsemi
512-FGD5T120SH
FGD5T120SH

Fab. :

Description :
IGBTs 1200V 5A Field Stop Trench IGBT

Modèle de ECAO:
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En stock: 8.894

Stock:
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Délai usine :
11 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,05 € 2,05 €
1,32 € 13,20 €
0,903 € 90,30 €
0,717 € 358,50 €
0,66 € 660,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,655 € 1.637,50 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
DPAK-3 (TO-252-3)
SMD/SMT
Single
1.2 kV
2.9 V
- 25 V, 25 V
10 A
69 W
- 55 C
+ 150 C
FGD5T120SH
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.: 10 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: +/- 400 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 260,370 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3,  TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.