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FFSP1065B

Name: onsemi FFSP1065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1065B
Price: 3.41 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

863-FFSP1065B

N° de fab. :

FFSP1065B

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC SIC DIODE 650V 10A

Fiche technique:

FFSP1065B Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,41 €	3,41 €
	2,23 €	22,30 €
	1,64 €	164,00 €
	1,45 €	725,00 €
	1,30 €	1.300,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	10 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.38 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	45 A
Ir - Courant inverse:	40 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSP1065B
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	75 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	650 V
Poids de l''unité:	3,698 g

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Fiche technique

FFSP1065B Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Diodes EliteSiC D2

Les diodes EliteSiC D2 d'onsemi constituent une gamme de diodes à hautes performances conçues pour les applications nécessitant une tension nominale de 650 V. La D2 d'onsemi est disponible en divers boîtiers, notamment DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 et TO-247-3. Ces diodes affichent une faible charge capacitive (QC) et sont optimisées pour une commutation à haute vitesse avec une tension directe faible. Ces caractéristiques rendent les diodes idéales pour la correction du facteur de puissance (PFC) et les applications de redressement de sortie.