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FFSD0665B-F085

Name: onsemi FFSD0665B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD0665B-F085
Price: 2.63 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-FFSD0665B-F085

N° de fab. :

FFSD0665B-F085

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5

Fiche technique:

FFSD0665B-F085 Fiche technique

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,63 €	2,63 €
	1,71 €	17,10 €
	1,19 €	119,00 €
	0,998 €	499,00 €
	0,972 €	972,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,929 €	2.322,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Configuration:	Single
If - Courant direct:	6 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.38 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	28 A
Ir - Courant inverse:	40 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSD0665B-F085
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	75 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	650 V
Poids de l''unité:	779,167 mg

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Fiche technique

FFSD0665B-F085 Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSx0665B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0665B-F085 650V, 6A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0665B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The FFSx0665B-F085 650V, 6A SiC Schottky Diodes are available in a D²PAK-3 package.

Diodes EliteSiC D2

Les diodes EliteSiC D2 d'onsemi constituent une gamme de diodes à hautes performances conçues pour les applications nécessitant une tension nominale de 650 V. La D2 d'onsemi est disponible en divers boîtiers, notamment DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 et TO-247-3. Ces diodes affichent une faible charge capacitive (QC) et sont optimisées pour une commutation à haute vitesse avec une tension directe faible. Ces caractéristiques rendent les diodes idéales pour la correction du facteur de puissance (PFC) et les applications de redressement de sortie.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Solutions de stockage d'énergie

Les systèmes de stockage d'énergie (ESS) d'onsemi stockent l'électricité provenant de diverses sources d'énergie, comme le charbon, le nucléaire, l'éolien et le solaire, sous différentes formes, notamment les batteries (électrochimiques), l'air comprimé (mécanique) et le sel fondu (thermique). Cette solution se concentre sur les systèmes de stockage d’énergie par batterie connectés à des systèmes de convertisseurs solaires.