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FDMS86182

Name: onsemi FDMS86182
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86182
Price: 2.14 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

512-FDMS86182

N° de fab. :

FDMS86182

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET

Fiche technique:

FDMS86182 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,14 €	2,14 €
	1,37 €	13,70 €
	0,912 €	91,20 €
	0,822 €	411,00 €
	0,803 €	803,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,74 €	2.220,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Power-56-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	78 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	37 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Transconductance directe - min.:	63 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	FDMS86182
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	18 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Poids de l''unité:	68,100 mg

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Fiche technique

FDMS86182 Fiche technique (PDF)

Images

Dimensional Outline Drawing (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are 100V N-channel MV MOSFETs developed using an advanced PowerTrench process that integrates Shielded Gate Technology. These MOSFETs minimize on-state resistance (RDS_ON) and reverse recovery charge (Qrr) to deliver superior switching performance and efficiency. The small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr), and Figure of Merit (FOM) ensure fast switching for synchronous rectification applications. These devices have little to no voltage overshoot, reduces voltage ringing, and lowers EMI for applications requiring a 100V-rated MOSFET such as power supplies and motor drives. The power density of these MOSFETs allows wider MOSFET de-rating. These devices are 100% UIL tested and are available in an MSL1 robust package design.