Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

E4MS025120J2-TR

Name: Wolfspeed E4MS025120J2-TR
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS025120J2-TR
Price: 5.76 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

941-E4MS025120J2-TR

N° de fab. :

E4MS025120J2-TR

Fab. :

Wolfspeed

Description :

SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

E4MS025120J2-TR Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Wolfspeed E4MS025120J2-TR

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: Demander un devis de livraison

Entrez la quantité:

Minimum : 800 Multiples : 800

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	5,76 €	4.608,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Wolfspeed
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7XL
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	82 A
Rds On - Résistance drain-source:	33 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.6 V
Qg - Charge de grille:	125 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	330 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	28 S
Conditionnement:	Reel
Produit:	SiC MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	Silicon Carbide Power MOSFET
Délai de désactivation type:	36 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

E4MS025120J2-TR Fiche technique (PDF)

ECCN:: EAR99

MOSFET SiC discrets E4MS 1 200 V

Les MOSFET discrets en carbure de silicium (SiC) E4MS 1 200 V de Wolfspeed offrent des performances inégalées dans les applications automobiles embarquées. La famille E4MS utilise une diode à corps souple et rapide qui permet une commutation rapide avec dépassement et sonnerie minimaux, élargissant ainsi l'espace de conception utilisable pour les ingénieurs afin d'optimiser les performances dans l'application. La famille E4MS offre des pertes Eon, ERR et Eoff améliorées par rapport à la famille de dispositifs E3M, tout en maintenant un faible coefficient de température RDS_(on). Cette approche équilibrée offre des performances et une efficacité maximales pour une large gamme de topologies embarquées.