DXTN07045DFG-7

Diodes Incorporated
621-DXTN07045DFG-7
DXTN07045DFG-7

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Modèle de ECAO:
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Ruban à découper / MouseReel™
0,74 € 0,74 €
0,461 € 4,61 €
0,299 € 29,90 €
0,23 € 115,00 €
0,207 € 207,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
0,187 € 374,00 €
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Diodes Incorporated
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
NPN
Single
3 A
45 V
45 V
7 V
140 mV
3.1 W
150 MHz
- 55 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Courant de collecteur continu : 3 A
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 400
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 30 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99

DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs)

Diodes Incorporated DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs) are offered in smaller, thermally efficient PowerDI®3333-8 packages. These Diodes Incorporated transistors are in a PowerDI3333 surface mount 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm package. The package occupies 70% less printed circuit board (PCB) space than the traditional small-outline transistor (SOT223). PowerDI3333 packages increase PCB throughput with wettable flanks, which help facilitate high-speed, automatic optical inspection (AOI) of solder joints. These NPN and PNP transistors can perform functions such as linear or LDO regulation, gate driving of MOSFETs or insulated-gate bipolar transistors (IGBT), and load switches across industrial and consumer applications.