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DMWSH120H90SM4Q

Name: Diodes Incorporated DMWSH120H90SM4Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMWSH120H90SM4Q
Price: 11.51 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-DMWSH120H90SM4Q

N° de fab. :

DMWSH120H90SM4Q

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS

Fiche technique:

DMWSH120H90SM4Q Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	11,51 €	11,51 €
	7,91 €	79,10 €
	6,88 €	825,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	97.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	51.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	235 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Single
Temps de descente:	6.4 ns
Transconductance directe - min.:	4.7 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	21.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	17.4 ns
Délai d'activation standard:	9.1 ns

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Fiche technique

DMWSH120H90SM4Q Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx

Les MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx de Diodes Incorporated sont des MOSFET au carbure de silicium conçus pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir une excellente performance de commutation. Ces MOSFET disposent d'une faible capacité d'entrée, d'un courant de drain à tension de grille nulle jusqu'à 100 μA, d'une fuite grille-source jusqu'à ±250 nA et d'une valeur nominale BV_DSS élevée pour les applications de puissance. Les MOSFET DMWSH120Hx fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à 175 °C et sont conformes à la classification d'inflammabilité UL 94V-0. Ces MOSFET de puissance sont idéaux pour les convertisseurs CC-CC haute puissance pour véhicules électriques, les systèmes de recharge pour véhicules électriques, les onduleurs solaires, les onduleurs de traction CA-CC et les pilotes de moteur automobile.