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DMWSH120H28SM3Q

Name: Diodes Incorporated DMWSH120H28SM3Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMWSH120H28SM3Q
Price: 30.33 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-DMWSH120H28SM3Q

N° de fab. :

DMWSH120H28SM3Q

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

DMWSH120H28SM3Q Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	30,33 €	30,33 €
	26,35 €	263,50 €
	23,05 €	2.766,00 €
1.020	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	97.4 A
Rds On - Résistance drain-source:	28.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	175 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	405 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Single
Temps de descente:	12.8 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	40.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	Silicon Carbide Power MOSFET
Délai de désactivation type:	44.8 ns
Délai d'activation standard:	24.2 ns

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Fiche technique

DMWSH120H28SM3Q Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx

Les MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx de Diodes Incorporated sont des MOSFET au carbure de silicium conçus pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir une excellente performance de commutation. Ces MOSFET disposent d'une faible capacité d'entrée, d'un courant de drain à tension de grille nulle jusqu'à 100 μA, d'une fuite grille-source jusqu'à ±250 nA et d'une valeur nominale BV_DSS élevée pour les applications de puissance. Les MOSFET DMWSH120Hx fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à 175 °C et sont conformes à la classification d'inflammabilité UL 94V-0. Ces MOSFET de puissance sont idéaux pour les convertisseurs CC-CC haute puissance pour véhicules électriques, les systèmes de recharge pour véhicules électriques, les onduleurs solaires, les onduleurs de traction CA-CC et les pilotes de moteur automobile.