DMP2069UFY4-7

Diodes Incorporated
621-DMP2069UFY4-7
DMP2069UFY4-7

Fab. :

Description :
MOSFET MOSFET P-CHAN.

Modèle de ECAO:
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En stock: 19.830

Stock:
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Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,636 € 0,64 €
0,388 € 3,88 €
0,254 € 25,40 €
0,194 € 97,00 €
0,172 € 172,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,138 € 414,00 €
0,129 € 774,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Diodes Incorporated
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
X2-DFN2015-3
P-Channel
1 Channel
20 V
2.5 A
36 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
530 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 423.8 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 155.1 ns
Série: DMP2069
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 688.1 ns
Délai d'activation standard: 80.4 ns
Poids de l''unité: 0,800 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

DMx Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMx series enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance and fast switching, making them ideal for high efficiency power management applications. Diodes Incorporated DMx enhancement mode MOSFETs are also optimized for motor control, backlighting, and DC-DC converter applications. Diodes Incorporated DMx series includes complementary dual, complementary pair, P-channel, and N-channel enhancement mode MOSFETs.

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